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高速低损铌酸锂薄膜相位调制器
    发布时间: 2022-09-20 11:38    

和传统体材料调制器相比,薄膜波导在保持低插入损耗的同时具有较强的光限制,可将光波集中于横截面积约为扩散波导十分之一的脊形波导内,从而大幅度降低半波电压-长度积,降低器件与驱动电路功耗、减小尺寸并有利于进一步提高调制带宽。


高速低损铌酸锂薄膜相位调制器

和传统体材料调制器相比,薄膜波导在保持低插入损耗的同时具有较强的光限制,可将光波集中于横截面积约为扩散波导十分之一的脊形波导内,从而大幅度降低半波电压-长度积,降低器件与驱动电路功耗、减小尺寸并有利于进一步提高调制带宽。