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高速低损铌酸锂薄膜相位调制器
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<p>和传统体材料调制器相比，薄膜波导在保持低插入损耗的同时具有较强的光限制，可将光波集中于横截面积约为扩散波导十分之一的脊形波导内，从而大幅度降低半波电压-长度积，降低器件与驱动电路功耗、减小尺寸并有利于进一步提高调制带宽。</p><p><br/></p>
高速电光芯片及器件
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